ਆਈ ਜੀ ਟੀ ਟੀ ਤਾਪ ਯੂਨਿਟ ਦੇ ਨਾਲ ਆਵਰਤੀ ਹੀਟਿੰਗ ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਕੈਥੀਟਰ ਟਿਪਿੰਗ
ਉਦੇਸ਼: ਕੈਥੀਟਰ ਪਦਾਰਥ ਬਣਾਉਣ ਲਈ 2850 ਤੋਂ 2 ਸੈਕਿੰਡ ਦੇ ਅੰਦਰ ਅੰਦਰ ਅਲੂਮੀਨੀਅਮ ਕੈਥੀਟਰ ਟਿਪਿੰਗ ਡਾਈ ਨੂੰ 5F ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਗਰਮ ਕਰਨ ਲਈ. ਮੌਜੂਦਾ ਸਮੇਂ, ਹੀਟਿੰਗ ਪੁਰਾਣੇ ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਨਾਲ 15 ਸਕਿੰਟਾਂ ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ. ਗਾਹਕ ਹੀਟਿੰਗ ਦੇ ਸਮੇਂ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਅਤੇ ਵਧੇਰੇ ਕੁਸ਼ਲ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿਕਸਤ ਕਰਨ ਲਈ ਠੋਸ ਰਾਜ ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨਾ ਚਾਹੁੰਦਾ ਹੈ.
ਪਦਾਰਥ: ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਕੈਥੀਟਰ ਟਿਪਿੰਗ ਡਾਈ ਮਾਪਦਾ ਹੈ 3/8 ″ OD ਅਤੇ 2 ″ ਲੰਬੇ ਗਰਮੀ ਦੇ ਜ਼ੋਨ ਵਿਚ ਇਕ ਚੁੰਬਕੀ ਆਸਤੀਨ ਨਾਲ. ਕੈਥੀਟਰ ਪਦਾਰਥ ਨੂੰ ਪੌਲੀਉਰੇਥੇਨ ਪਲਾਸਟਿਕ ਦੇ ਸਮਾਨ ਦੱਸਿਆ ਗਿਆ ਸੀ. ਨਾਲ ਹੀ, 0.035ਹਿਣ ਤੋਂ ਰੋਕਣ ਲਈ ਕੈਥੀਟਰ ਟਿ intoਬ ਵਿੱਚ XNUMX ″ ਵਿਆਸ ਸਟੀਲ ਦੀ ਤਾਰ ਪਾਈ ਗਈ ਸੀ.
ਤਾਪਮਾਨ: 5000F
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ: DW-UHF-4.5kW ਸੋਲਡ ਸਟੇਟ ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਬਹੁਤ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ theੰਗ ਨਾਲ ਹੇਠਲੇ ਨਤੀਜੇ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਦ੍ਰਿੜ ਸੀ:
F,FF and ਐਫ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਣ ਅਤੇ ਕੈਥੀਟਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ 3.3 ਸੈਕਿੰਡ ਦਾ ਹੀਟਿੰਗ ਟਾਈਮ ਦੋ (5000) ਦੋ (2) ਵਾਰੀ ਵਾਰੀਕਲ ਕੋਇਲ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ.
ਇਕ ਕੁਆਲਿਟੀ ਕੈਥੀਟਰ ਟਿ ofਬ ਦੇ psਹਿਣ ਤੋਂ ਰੋਕਣ ਲਈ 1 ″ ਤਾਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦੁਆਰਾ ਸ਼ਕਲ ਨੂੰ ਬਰਕਰਾਰ ਰੱਖਦਿਆਂ ਪੋਲੀਯੂਰਥੇਨ ਟਿ″ਬ ਦੇ 2/0.035 the ਉੱਲੀ ਵਿਚ ਦਬਾ ਕੇ ਬਣਾਈ ਗਈ ਸੀ.
ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ ਕਾਫ਼ੀ ਸਮੇਂ ਦੀ ਕਮੀ ਪੂਰੀ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ ਜੋ ਗੁਣਵੱਤਾ ਦੀ ਬਲੀਦਾਨ ਨਾ ਦੇਣ ਵੇਲੇ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਵਾਧਾ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦੇਵੇਗੀ.
ਉਪਕਰਣ: DW-UHF-4.5kW ਸੋਲਿਡ ਸਟੇਟ ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਪਾਵਰ ਸਪਲਾਈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਰਿਮੋਟ ਹੀਟ ਸਟੇਸ਼ਨ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਇੱਕ (1) ਕੈਪੀਸਿਟਰ ਕੁੱਲ 1.2 μF ਹੈ.
ਫ੍ਰੀਕਵੈਂਸੀ: 287 kHz
